Derating-Werte bei Einsatz von SITOR Sicherungen unter UL-Randbedingungen

In nachfolgender Tabelle finden sich die zulässigen Belastungsströme der Halbleiterschutzsicherungen SITOR bei Einbau in 3KF SITOR unter UL-Randbedingungen. Die angegebenen Werte gelten für einen Aufbau der 3KF gemäß der Prüfbedingungen gemäß UL 508 / UL 60947-4-1 (Einbau in Gehäuse) und mit angeschlossenen isolierten Leitungen, Querschnitt entsprechend des Bemessungsbetriebsstromes des 3KF Schalters. Die angegebenen Werte gelten für Einsatz in Gehäusen, welche größer oder gleich dem angegebenen Gehäuses sind.

Wird die Kombination aus 3KF und SITOR Sicherungen unter davon abweichenden Randbedingungen eingesetzt, welche die Wärmeabfuhr verschlechtern, ist weiteres Derating notwendig.